素材解析设备介绍

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原理

WSEM-EDS：扫描电子显微镜

高能电子束照射到样品表面后，激发出多种信号，包括二次电子、背散射电子和特征X射线等。二次电子像反映样品细微的凹凸，反射电子像反映样品表面的成分分布。 通过与牛津EDS联用，实现对样品元素进行定性及半定量分析。

设备能力

样品要求

原理

FESEM在分辨率和成像质量上均优于钨灯丝电镜，其分辨率可达到亚纳米级，成像质量更为出色。低加速电压下的分辨率远远超过钨灯丝电镜。独特的InLens 二次电子探测器，实现高分辨率的表面形貌分析。 与高性能牛津 X-MaxN 50 EDS联用，信号更强，点、线、面分析速度更快，可实现对低含量元素的分布确认。(与WSEM-EDS比较）

FE-SEM-EDS：场发射扫描电子显微镜

设备能力

样品要求

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FESEM (场发射电镜)-EDS vs WEDS(钨灯丝电镜)-EDS

大面积能谱可以减小束流，小束流可提高图像质量，减小试样损伤。

大面积能谱仪可以在低束流即高空间分辨率下获得足够计数，提高分辨率。

超景深显微镜是一种基于成像原理的显微镜。通过高分辨率成像、超景深成像、光学相位调制和图像处理等关键技术可以同时获得焦平面以及焦平面之外的深度信息，实现全景式的三维成像。

3D-OM：高景深3D显微镜

原理

设备能力

样品要求

原理

UT：超声波探伤仪

设备能力

样品要求

超声波在传播途中，遇到材料特性(声阻抗)聚变的界面，部分声波会反射，按原路径返回。根据反射回来的声波有无、强弱来检测所经传播路径中的材料界面、剥离、空孔等。

X射线在晶体中产生衍射现象，衍射线的空间分布方位和强度与晶体的结构密切，基于布拉格定律及晶体学知识，实现对化合物的定性、定量及晶体结构分析。 晶体中的应力会引起晶面间距的变化。根据胡克定律(F=k∆x )，通过测量晶体中晶面间距的变化，可以间接推断出晶体中的应力信息‌。

XRD ：X射线衍射仪

原理

设备能力

样品要求

原理

FT-IR ：傅里叶变换红外光谱仪

利用与分子键振动对应的红外线吸收对化合物进行定性分析。 分子受到红外光照射，分子中的化学键或官能团会发生振动和转动，当振动和转动的频率与红外光的频率相匹配时，分子会吸收红外光，形成红外吸收谱。

设备能力

样品要求

X射线照射到样品上时，产生特征X射线（荧光X射线）。每种元素有其特定能量的特征X射线，通过特定能量确定元素种类（定性分析），通过测量特征X射线强度，采用适当的方法校准与校正，即可得到原子在样品中的百分含量（定量分析）。

XRF： X射线荧光光谱仪

原理

设备能力

样品要求

原理

TG-DTA ：热重分析仪

通过加热样品，同时监测样品的质量变化。 在加热过程中，样品会经历一系列物理和化学反应变化，如水分蒸发、有机物分解、相变等，这些变化会导致样品质量的减少。 通过记录样品质量随温度变化的曲线，可以分析样品的热稳定性、相变温度、分解温度等。

设备能力

样品要求

DSC：差示扫描量热仪

样品盘和参考盘分别放置在热流传感器的两个凸起平台上，热量通过样品盘传递到测温热电偶，从而准确测定样品和参比物的温度。当炉体温度以恒定速率变化时，实时测量进入样品盘和参考盘的热流差，并通过‌热流校正获得样品真实的吸放热功率值。

原理

设备能力

样品要求

TMA：热机械分析仪

在一定的气氛下，通过在程序控温下对试样施加恒定的较小负荷，测量试样随温度升高发生的形变，从而得到试样的温度-形变曲线。

原理

设备能力

样品要求

PSD：粒度分布仪

单色光束照射到颗粒后发生衍射现象，由于衍射光的能量分布与颗粒的大小有关，通过测定衍射光的能量分布，根据米氏散射理论和弗朗霍夫近似理论，可计算出颗粒的粒度分布。 根据分散介质的不同，测试方式可分为湿法测试（分散介质为液体）和干法测试（分散介质为气体）。

原理

设备能力

样品要求

BET：自动比表面积分析仪

当样品管放入液氮时，样品发生物理吸附，会得到吸附峰。当液氮被取走时得到脱附峰。最后在混合气中注入纯氮，得到一个校正峰。根据校正峰和脱附峰的峰面积算出吸附量，从而可根据BET公式计算比表面积。

原理

吸附曲线

脱附曲线

校准曲线

设备能力

样品要求

纯净氧气进入燃烧室，通过高频炉感应加热，使得样品中的碳(C)、硫(S)在富氧条件下转化成CO2和SO2，当特定波长的红外光通过CO2和SO2时，能够产生强烈的光吸收。通过测量光强可以计算出混合气体中CO2和SO2的浓度，进而确定样品中的碳、硫元素含量，检测信号通过数据处理后即可得到碳、硫元素的百分含量。

原理

CS：碳硫分析仪

设备能力

样品要求

样品前处理